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LEI Model2017B，通過(guò)汞探針接觸方法，對(duì)各類半導(dǎo)體材料的載流子濃度分布進(jìn)行測(cè)試，特別適合GaN.SiC等化合物材料。
汞CV測(cè)試系統(tǒng)，用于對(duì)外延或前道工藝中的non-pattemed晶片做汞C-V測(cè)試; MCV-530L可測(cè)最大200mm的樣品。
CV-1500，用于測(cè)試界面和介電層的科研平臺(tái)，基于SDI Corona-Kelvin技術(shù)，可以進(jìn)行非接觸C-V/I-V測(cè)試。
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